« Transistor/Transistor bipolaire » : différence entre les versions

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|leçon=[[Transistor]]
|précédent=[[Transistor|Sommaire]]
| suivant = [[Transistor../Transistor MOSFET|Transistor MOSFET/]]
|niveau=10
|numero=1
|-----
|Les '''transistors bipolaires''' ('''BIP''' ou '''BJT''') dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) constituent l'accès de puissance, la base (B) et l'émetteur l'accès de commande
|[[ImageFichier:Transistor BJT.png|130px]]
|-
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|Les '''transistors bipolaires à grille isolée''' (IGBT) dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) forment l'accès de puissance, la grille (G) et l'émetteur l'accès de commande
|[[ImageFichier:Transistor IGBT.png|130px]]
|}
<br \>
{| border="0" align="center" cellpadding="20"
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| align="center" |[[ImageFichier:Transistor NPN convention.png|200px]]
| align="center" |[[ImageFichier:Transistor PNP convention.png|200px]]
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| align="center" |'''NPN''' : Toutes les grandeurs sont positives
* <span style="color:#C01080;">'''3'''</span> : « hyperbole de dissipation » <math>\textstyle P_d = I_C.V_{CE} \Rightarrow I_C = \frac {P_{dmax}}{V_{CE}}\;</math>
* <span style="color:#008000;">'''4'''</span> : Résistance interne du transistor (on retrouve la courbe grâce à U = R.I)
|[[ImageFichier:Transistor BJT puissance.png|300px]]
|}
 
|leçon=[[Transistor]]
|précédent=[[Transistor|Sommaire]]
| suivant = [[Transistor../Transistor MOSFET|Transistor MOSFET/]]}}
 
[[Catégorie:Transistor]]
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