« Transistor/Transistor bipolaire » : différence entre les versions
Contenu supprimé Contenu ajouté
m Robot : Remplacement de texte automatisé (- *\| *niveau *= * + | niveau = ) |
maintenance - LaTeXiFiCaTiOn |
||
Ligne 22 :
|[[Fichier:Transistor IGBT.png|130px]]
|}
Ces différents familles de transistors se distinguent les uns des autres par des paramètres tel que :
* la chute de tension à l'état passant ou état conducteur
Ligne 54 :
=== Transistor bloqué ===
{{Propriété
{{Propriété|titre=Propriété du transistor bloqué (état ouvert)|contenu='''Le transistor bloqué est équivalent à un interrupteur ouvert entre C et E.'''▼
| titre = Propriété du transistor bloqué (état ouvert)
Il est bloqué si la tension <math>\scriptstyle V_{ce}\;</math> étant positive, le courant de base est nul ou négatif. Cet état s'obtient donc en laissant la base en circuit ouvert (« en l'air »), soit en reliant la base à l'émetteur par l'intermédiaire d'une résistance, soit avec une source de tension négative en série avec une résistance.}}▼
| contenu =
▲
▲Il est bloqué si la tension <math>\scriptstyle V_{ce}\;</math> étant positive, le courant de base est nul ou négatif. Cet état s'obtient donc en laissant la base en circuit ouvert (« en l'air »), soit en reliant la base à l'émetteur par l'intermédiaire d'une résistance, soit avec une source de tension négative en série avec une résistance.
}}
=== Transistor saturé ===
{{Propriété
{{Propriété|titre=Propriété du transistor saturé (état fermé)|contenu='''Le transistor saturé est équivalent à un interrupteur fermé entre C et E.'''▼
| titre = Propriété du transistor saturé (état fermé)
| contenu =
▲
En cas de forte injection dans la base, le courant circule par conduction entre C et E.
Dans ce fonctionnement là, <math>\scriptstyle V_{be}\;</math> et <math>\scriptstyle V_{bc}\;</math> sont positives (jonctions polarisées en direct) et <math>\scriptstyle i_B > \frac {i_c}{\beta}\;</math>. <math>\scriptstyle \beta\;</math> étant le gain en courant du transistor. Il est donné par le constructeur.
On observe alors <math>\scriptstyle V_{CEsat} \approx 0,3 V\;</math> alors que <math>\scriptstyle V_{be}\;</math> est égale à la tension de seuil d'une diode en direct, c'est-à-dire <math>\scriptstyle V_{be} \approx 0,7 V\;</math>.
}} {{Remarque
''Remarque'' : Plus le transistor est saturé, plus l'injection de porteurs entraîne une charge stockée importante dans la base. Cette charge devra être extraite pour bloquer le transistor (passage par 0 du courant).▼
| contenu =
▲
}}
=== Conditions de blocage et de saturation ===
Ligne 76 ⟶ 87 :
{| border="0"
|-
|Le point de fonctionnement '''doit toujours se situer à l'
La puissance que doit donc dissiper le transistor vaut :
{{Résultat
| <math>\textstyle P = V_{BE}\times I_B + V_{CE}\times I_C\;</math> }} * <span style="color:#0000FF;">'''1'''</span> : <math>\textstyle I_{
* <span style="color:#FF0000;">'''2'''</span> : <math>\textstyle V_{
* <span style="color:#C01080;">'''3'''</span> : « hyperbole de dissipation » <math>\textstyle P_d = I_C.V_{CE} \Rightarrow I_C = \frac {P_{
* <span style="color:#008000;">'''4'''</span> : Résistance interne du transistor (on retrouve la courbe grâce à U = R.I)
|[[Fichier:Transistor BJT puissance.png|300px]]
| |||