« Introduction à l'électronique numérique/Familles technologiques » : différence entre les versions
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Ligne 1 :
== Logique saturée ==
=== D.L ===
La technologie '''D'''iode '''L'''ogic n'
Des inconvénients : chute de tension dans les diodes, et pas de porte inverseur
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Image:Diode OR Gate.svg
Ligne 10 ⟶ 11 :
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=== R.T.L. ===
La technologie '''R'''esistor '''T'''ransistor '''L'''ogic intègre le transistor qui permet de regénérer les tensions logique.<br />
L'inconvénient était d' === D.T.L. ===
Association des deux
=== T.T.L. ===
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Image:TTL npn nand.svg
Image:Electronic component ttl.jpg
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* '''H''' : '''H'''igh : rapide
* '''L''' : '''L'''ow power : peu de dissipation thermique
* '''S''' : '''S'''chottky : utilisation de la diode Schottky
* '''A''' : '''A'''
== Logique non
===E.C.L.===▼
===M.O.S.===▼
Le transistor MOS (pour '''M'''etal '''O'''xyde '''S'''ilicium) est utilisé en grande partie maintenant pour ces nombreux avantages : courant d'entrée quasi-nul (donc peut de perte thermique), intérgation grande (facilité de fabrication du circuit), très rapide (temps de propagation des signaux).▼
pour améliorer la symétrie des signaux, on avanca vers le C-MOS ('''C'''omplémentary-MOS) en intégrant une tansistor NMOS et un PMOS pour former une ''celule''.▼
▲=== M.O.S. ===
Fonctionnant sur l'effet de champ de tansistor (MOS-FET : MOS '''F'''ield '''E'''ffect '''T'''ransostor), ceux-ci sont sensible à l'électricité statique. il faut donc faire attention à son environnement et/ou intégrer des protections▼
▲Le transistor MOS (pour '''M'''etal '''O'''xyde '''S'''ilicium) est utilisé en grande partie maintenant pour
▲
▲Fonctionnant sur l'effet de champ de
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Image:CMOS AND Layout.svg
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=== BiCMOS ===
CMOS à l'entrée (entrée très impédante), il est Bipolaire à la sortie (courant de sortie important). Ayant l'avantage des
=== E.C.L. ===
== Interfacages des familles ==
▲avec ces technologiqe, il existe des incompatibilités
===Exercices===
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