« Transistor/Transistor MOSFET » : différence entre les versions

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* Ces bandes sont incrustées dans une bande (le « corps », appelé ''body'', ''well'' ou ''bulk''), plus large, de silicium dopé P (on y trouve des accepteurs comme le bore) ;
* Une bande ''très fine'' (de l'ordre de 20 Å) d'oxyde de silicium<ref>D'où le nom de « MOS ».</ref> très pur sépare le corps de la grille (''gate'') ;
* La grille, quant à elle, est une bande de siliconesilicium polycristallin.
 
Lorsque la tension entre la grille et la source est suffisamment importante, le champ électrique dans le corps permet le passage d'électrons : le NFET conduit<ref>D'où le terme de transistor à « effet de champ ».</ref>. Le PFET est conçu exactement de la même manière, en intervertissant silicium dopé P et dopé N, ce sont alors les trous qui conduisent.
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