« Transistor/Transistor MOSFET » : différence entre les versions
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Ligne 189 :
* La source et le drain sont connectés à une bande de silicium dopé N (on y trouve des donneurs comme le phosphore) ;
* Ces bandes sont incrustées dans une bande (le « corps », appelé ''body'', ''well'' ou ''bulk''), plus large, de silicium dopé P (on y trouve des accepteurs comme le bore) ;
* Une bande ''très fine'' (de
* La grille, quant à elle, est une bande de silicium polycristallin.
Ligne 206 :
Cette porte logique est facile à lire : en haut le ''pull-up'', en bas le ''pull-down''. Puisqu’ils font la même chose, il suffit par exemple de regarder le comportement du ''pull-down'' : la sortie (OUT) est haute si et seulement s'il n'y a pas de connexion entre elle et la terre, c'est-à-dire si l'une ou l'autre des entrées (en vert) n'est pas activée. C'est une porte NON-ET.
L'échelle de gravure de ces pistes, de
== Limitations du modèle ==
Ligne 214 :
La valeur du paramètre ''K'', utilisé dans l'étude de l'amplificateur inverseur, est sujette à des variations. En particulier, elle varie avec la température, alors même que le transistor s'échauffe lors de son utilisation. Elle n'est acceptablement constante que pour des courants relativement faibles.
En dépit de l'architecture CMOS, qui réduit de façon drastique la consommation d'un circuit digital, nos ordinateurs consomment toujours de l'énergie ! En effet, cette méthode de construction permet d'éliminer la dissipation d'énergie en régime permanent, appelée dissipation ''statique''. Dans les faits, les MOSFET présentent une faible capacité C<sub>M</sub> qui se charge et se décharge, donnant lieu à une dissipation ''dynamique'' dont on montre qu'elle est de
<math>n f C_M</math>
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