« Transistor/Transistor MOSFET » : différence entre les versions

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De plus, certaines tensions ne sont pas amplifiées, mais atténuées : celles qui entrent dans les zones de fonctionnement linéaire ou de coupure. Nous allons pouvoir contourner le problème en nous restreignant à la gamme de tensions d'entrées pour lesquelles le NFET est en saturation. Le signal obtenu est alors amplifié, mais déformé. On note ''V'' la tension qu’il faut ajouter au signal à amplifier afin de travailler dans la bonne région. V s’appelle tension de référence.
 
Lorsque, en outre, on envoie de ''petits signaux'' en termes d'amplitude, autour d'une tension de référence ''V'' (qui correspond à une tension de sortie ''V<sub>O</sub>''), alors la déformation s'atténue. En effet, si on note ''v'' l'amplitude des signaux en question et ''v<sub>O</sub>'' les signaux obtenus en sortie :
 
<math>V_O + v_O = V_S - R_L\frac{K}{2} \left( V + v - V_{TH} \right)^2 </math>
== Limitations du modèle ==
 
Notre modèle idéal de MOSFET souffre de quelques limitations. Les plus importantes concernent d'une part la « constante » ''K'' et d'autred’autre part la consommation de courant.
 
La valeur du paramètre ''K'', utilisé dans l'étude de l'amplificateur inverseur, est sujette à des variations. En particulier, elle varie avec la température, alors même que le transistor s'échauffe lors de son utilisation. Elle n'est acceptablement constante que pour des courants relativement faibles.
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