« Transistor/Transistor MOSFET » : différence entre les versions

m (Robot : Remplacement de texte automatisé (- l'ordre + l’ordre , - t'as + t’as , - d'asile + d’asile , - d'argent + d’argent , - n'hésite + n’hesite , - m'y + m’y , - l'intervention + l’intervention , - "convention de nommage" +...)
* <math>V_{GS} > V_{TH}</math> ;
* <math>V_{DS} < ( V_{GS} - V_{TH} )</math>
 
On peut exprimer le courant <math>I_D</math> circulant dans le drain :
 
<math>I_D = K((V_{GS} - V_{TH})V_{DS} - \frac{1}{2} V_{DS}^2)</math>
 
où <math>K</math> est une caractéristique du transistor
 
=== Régime de saturation ===
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