« Transistor/Transistor MOSFET » : différence entre les versions

<math>V_{DS} > ( V_{GS} - V_{TH} )</math>.
 
OnEn petits signaux, on peut alors remplacer le transistor par un modèle équivalent composé d’un générateur de courant commandé en tension, en parallèle avec une résistance <math>r_0</math>. Les valeurs du courant et de la résistance sont donnés par :
<math>I_D = g_m v_{DS}</math> et
<math>r_0 = \frac{|U_x|}{I_D}</math>
<math>g_m</math> est la transductance et vautest <math>g_m = 2\sqrt{K.I_D} = \frac{2I_D}{V_{GS}-V_{TH}}</math>, et <math>U_X</math> est la tension d'Early.
 
== Caractéristique : résumé et remarques ==
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