« Introduction à l'électronique numérique/Familles technologiques » : différence entre les versions
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Ligne 11 :
=== D.L ===
La technologie '''D'''iode '''L'''ogic n'utilisait que des diodes et des résistances afin
Des inconvénients : chute de tension dans les diodes, et pas de porte
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Image:Diode OR Gate.svg
Ligne 21 :
=== R.T.L. ===
La technologie '''R'''esistor '''T'''ransistor '''L'''ogic intègre le transistor qui permet de regénérer les tensions
L'inconvénient était d'intégrer des résistances, d'avoir des temps de commutation s'affaiblissant avec le nombre croissant d'entrées.
Ligne 28 :
=== T.T.L. ===
En remplaçant les diodes à l'entrée par un transistor multi-émetteur et un système push-pull en sortie, on obtient la famille '''T
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Image:TTL npn nand.svg
Image:Electronic component ttl.jpg
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Différentes sous-familles ont existé dans la technologie TTL avec l'
* '''H''' : '''H'''igh : rapide
* '''L''' : '''L'''ow power : peu de dissipation thermique
Ligne 44 :
=== M.O.S. ===
Le transistor MOS (pour '''M'''etal '''O'''xyde '''S'''ilicium) est maintenant utilisé en grande partie
Pour améliorer la symétrie des signaux, on avanca vers le C-MOS ('''C'''omplémentary-MOS) en intégrant un transistor NMOS et un PMOS pour former une ''cellule''.
Ligne 54 :
=== BiCMOS ===
CMOS à l'entrée (entrée très impédante), il est
=== E.C.L. ===
Très rapide : peut fonctionner dans les GHz
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Avec ces technologies, il existe des incompatibilités.
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