« Transistor/Transistor MOSFET » : différence entre les versions

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Le MOSFET (''Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor'')<ref>« Transistor à effet de champ (à grille) métal-oxyde ».</ref> est un composant éléctronique important, notamment dans l’industrie des micro-processeurs car il constitue l'élément de base permettant la construction de portes logiques.
 
== Présentation ==
=== Régime de saturation ===
 
Dans certaines conditions, le courant traversant le MOSFET ne dépend plus de la tension <math>V_{DS}</math><ref>En pratique, ce courant dépend ''encore'' — quoique faiblement — de ''V<sub>DS</sub>'', mais cela n'a pas une grande incidence ici.</ref>, mais uniquement de la tension entre la grille et la source <math>V_{GS}</math> :
 
<math>I_{DS} = \frac{K}{2}(V_{GS}-V_{TH})^2</math>
* La source et le drain sont connectés à une bande de silicium dopé N (on y trouve des donneurs comme le phosphore) ;
* Ces bandes sont incrustées dans une bande (le « corps », appelé ''body'', ''well'' ou ''bulk''), plus large, de silicium dopé P (on y trouve des accepteurs comme le bore) ;
* Une bande ''très fine'' (de l’ordre de 20 Å) d'oxyde de silicium<ref>D'où le nom de « MOS ».</ref> très pur sépare le corps de la grille (''gate'') ;
* La grille, quant à elle, est une bande de silicium polycristallin.
 
Lorsque la tension entre la grille et la source est suffisamment importante, le champ électrique dans le corps permet le passage d'électrons : le NFET conduit<ref>D'où le terme de transistor à « effet de champ ».</ref>. Le PFET est conçu exactement de la même manière, en intervertissant silicium dopé P et dopé N, ce sont alors les trous qui conduisent.
 
En pratique, la source est reliée au corps, ce qui explique qu'elle serve de référence dans toute l'étude électrique du système.
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