« Transistor/Transistor MOSFET » : différence entre les versions

En passant d'une valeur <math>V_{GS} < V_{TH}</math> à une valeur <math>V_{GS} > V_{TH}</math> avec <math>V_{DS}</math> suffisamment grand, le NFET se comporte comme un interrupteur contrôlable en série d'une résistance (faible). Cela nous intéresse notamment pour les circuits digitauxnumériques et la conception de portes logiques.

L'utilisation des PFET est très rare dans le cas de circuits analogiques, car leurs performances sont moins bonnes que celles des NFET. En revanche, pour ce qui est des circuits digitauxnumériques, ils sont fondamentaux à l'architecture CMOS développée dans les années 1980.

Reprenons le même montage que précédemment. Dans le monde digitalnumérique, il ne peut recevoir que deux types d'entrées (« haut » et « bas ») et ne peut envoyer en sortie que deux types de réponses (« haut » et « bas »).

En dépit de l'architecture CMOS, qui réduit de façon drastique la consommation d'un circuit digitalnumérique, nos ordinateurs consomment toujours de l'énergie ! En effet, cette méthode de construction permet d'éliminer la dissipation d'énergie en régime permanent, appelée dissipation ''statique''. Dans les faits, les MOSFET présentent une faible capacité C_M qui se charge et se décharge, donnant lieu à une dissipation ''dynamique'' dont on montre qu'elle est de l’ordre de :