« Transistor/Transistor bipolaire » : différence entre les versions

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==Les différents familles de Transistors Bipolaires==
 
* Les transistors bipolaires (BIP ou BJT) dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) constituent l'accés de puissance, la base (B) et l'émetteur l'accés de commande
 
* Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) forment l'accés de puissance, la grille (G) et l'émetteur l'accés de commande
 
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* |Les transistors bipolaires (BIP ou BJT) dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) constituent l'accés de puissance, la base (B) et l'émetteur l'accés de commande
|[[Image:Transistor BJT.png|130px]]
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* |Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) forment l'accés de puissance, la grille (G) et l'émetteur l'accés de commande
|[[Image:Transistor IGBT.png|130px]]
|}
<br \>
Ces différents familles de transistors se distinguent les uns des autres par des paramètres tel que :
* la chute de tension à l'état passant ou état conducteur
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