« Transistor/Transistor bipolaire » : différence entre les versions
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|Les '''transistors bipolaires''' ('''BIP''' ou '''BJT''') dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) constituent l'accés de puissance, la base (B) et l'émetteur l'accés de commande
|[[Image:Transistor BJT.png|130px]]
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|Les '''transistors bipolaires à grille isolée''' (IGBT) dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) forment l'accés de puissance, la grille (G) et l'émetteur l'accés de commande
|[[Image:Transistor IGBT.png|130px]]
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Ligne 32 :
==Les types de transistors==
On distingue deux types de transistors : les NPN et les PNP. Leurs fonctionnements sont analogues, seules les intensités des courants changent.
Structurellement parlant, les NPN sont l'asociation de deux semi-conducteurs dopés N (Négativement) et un dopé P (Positivement). Les PNP sont l'inverse.
Pour la suite du chapitre, je n'étudierai que les NPN puisque pour les PNP il suffit de retourner toutes les grandeurs (exemple : si <math>\scriptstyle V_{ce} = 10\;volts</math> pour un NPN, alors pour un PNP <math>\scriptstyle V_{ce} = -10\;volts</math>, soit <math>\scriptstyle -V_{ce} = 10\;volts</math>).
==Symboles et conventions==
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| align="center" |[[Image:Transistor NPN convention.png|200px]]
| align="center" |[[Image:Transistor PNP convention.png|200px]]
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| align="center" |'''NPN''' : Toutes les grandeurs sont positives
| align="center" |'''PNP''' : Toutes les grandeurs sont négatives
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''Remarque'' : La seule différence se situe sur le sens de la flèche de l'émetteur.
==Fonctionnement en commutation==
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