« Transistor/Transistor bipolaire » : différence entre les versions

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==Fonctionnement en commutation==
===Transistor bloqué===
 
{{Propriété|titre=Propriété du transistor bloqué (état ouvert)|contenu='''Le transistor bloqué est équivalent à un interrupteur ouvert entre C et E.'''
Il est bloqué si la tension <math>\scriptstyle V_{ce}\;</math> étant positive, le courant de base nul ou négatif. Cet état s'obtient donc en laissant la base en circuit ouvert (« en l'air »), soit en reliant la base à l'émetteur par l'intermédiaire d'une résistance, soit avec une source de tension négative en série avec une résistance.}}
 
===Transistor saturé===
 
{{Propriété|titre=Propriété du transistor saturé (état fermé)|contenu='''Le transistor saturé est équivalent à un interrupteur fermé entre C et E.'''
En cas de forte injection dans la base, le courant circule par conduction entre C et E.
Dans ce fonctionnement là, <math>\scriptstyle V_{be}\;</math> et <math>\scriptstyle V_{bc}\;</math> sont positives (jonctions polarisées en direct) et <math>\scriptstyle i_B > \frac {i_c}{\beta}\;</math>. <math>\scriptstyle \beta\;</math> étant le gain en courant du transistor. Il est donné par le constructeur.
On observe alors <math>\scriptstyle V_{CEsat} \approx 0,3 V\;</math> alors que <math>\scriptstyle V_{be}\;</math> est égale à la tension de seuil d'une diode en direct, c'est à dire <math>\scriptstyle V_{be} \approx 0,7 V\;</math>.}}
 
''Remarque'' : Plus le transistor est saturé, plus l'injection de porteurs entraîne une charge stockée importante dans la base. Cette charge devra être extraite pour bloquer le transistor (passage par 0 du courant).
 
===Conditions de blocage et de saturation===
 
On retiendra :
* Le blocage est caractérisé par un courant de base nul ou négatif (<math>\scriptstyle V_{ce}\;</math> n'est pas nulle)
* La saturation est caractérisée par un courant de base tel que : <math>\scriptstyle i_B > \frac {i_c}{\beta}\;</math> et <math>\scriptstyle V_{CEsat} \approx 0 V\;</math>
 
==Puissance dissipée==
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