« Transistor/Transistor bipolaire » : différence entre les versions

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m (a renommé Transistor/Transistor Bipolaire en Transistor/Transistor bipolaire: Bipolaire est adjectif)
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{{Chapitre
|titre=leLe Transistortransistor bipolaire
|idfaculté=ingénieur
|leçon=[[Transistor]]
}}
 
==Les différents familles de Transistors Bipolairesbipolaires==
 
 
{| border="0"
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|Les '''transistors bipolaires''' ('''BIP''' ou '''BJT''') dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) constituent l'accésaccès de puissance, la base (B) et l'émetteur l'accésaccès de commande
|[[Image:Transistor BJT.png|130px]]
|-
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|Les '''transistors bipolaires à grille isolée''' (IGBT) dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) forment l'accésaccès de puissance, la grille (G) et l'émetteur l'accésaccès de commande
|[[Image:Transistor IGBT.png|130px]]
|}
On distingue deux types de transistors : les '''NPN''' et les '''PNP'''. Leurs fonctionnements sont analogues, seules les intensités des courants changent.
 
Structurellement parlant, les NPN sont l'asociationassociation de deux semi-conducteurs dopés N (Négativement) et un dopé P (Positivement). Les PNP sont l'inverse.
 
Pour la suite du chapitre, je n'étudierai que les NPN puisque pour les PNP il suffit de retourner toutes les grandeurs (exemple : si <math>\scriptstyle V_{ce} = 10\;volts</math> pour un NPN, alors pour un PNP <math>\scriptstyle V_{ce} = -10\;volts</math>, soit <math>\scriptstyle -V_{ce} = 10\;volts</math>).
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